Az Intel ma közleményben számolt be arról, hogy hillsboroi kísérleti gyártóüzemében 70 megabit kapacitású, működő SRAM áramkört állított elő 65 nanométeres csíkszélességgel. A lapka több mint félmilliárd tranzisztorból épül fel, magmérete azonban mindössze 110 mm2. Az egyes memóriacellák – melyek hat tranzisztorból állnak – 0,57 µm2 területet foglalnak el.
A kisebb statikus memóriacelláknak köszönhetően nagyobb gyorsítótárakkal ellátott mikroprocesszorok gyárthatók. A vállalat kereskedelmi forgalomban kapható, 90 nanométeres csíkszélességgel gyártott chipjeiben az SRAM memóriacellák mérete 1,15 µm2 – ami korábban világrekordnak számított.
Az SRAM közelről
A vállalat néhány új technológiát is alkalmazott a 65 nanométeres gyártás során. Így továbbfejlesztette a 90 nanométeres csíkszélességnél bevezetett feszített szilícium (strained silicon) teljesítménynövelő módszert. Ennek – az IBM által kidolgozott – technológiának a hátterében az a felismerés áll, hogy egyes ásványok atomjai természetüknél fogva idomulnak egymáshoz. Amennyiben szilíciumot helyeznek egy lazább atomi szerkezetű hordozóra (mint amilyen szilícium-germánium), a szilícium atomjai idomulnak a hordozóéihoz, és lazább szerkezetbe rendeződnek, így pedig a töltéshordozók akadálytalanabbul, gyorsabban áramolhatnak a csatornában. Az Intel közleménye szerint a második generációs feszített szilícium 10-15 százalékkal növeli a tranzisztorok teljesítményét, miközben jelentősen csökkenti a szivárgási áramot – így az áramkörök hűvösebben működhetnek.
Szintén a fogyasztás csökkentését szolgálják az ún. alvó tranzisztorok. E technológia lehetővé teszi a memória blokkjainak teljes áramtalanítását, így mérsékelhető a fogyasztás és a hőleadás. A chip tranzisztorainak kapuhossza 35 nanométer, míg a kapuoxid vastagsága 1,2 nanométer. E tulajdonságok – állítja a vállalat – csökkentik a kapu kapacitását, ami pedig szintén a fogyasztás csökkenését hozza magával.
A 65 nanométeres SRAM áramköri elemei felett nyolc rétegben helyezkednek el az áramköri elemeket összekötő mikroszkopikus rézvezetékek; a Prescott processzor esetében – mely 90 nanométeren készül – még hétrétegű huzalozást alkalmaz gyártó. A vezetékrétegek számának növelése ugyan bonyolultabbá teszi a gyártás folyamatát, de hozzájárul a magméret csökkentéséhez. A vezetékek szigeteléséhez ezúttal is alacsony k állandójú (low k) dielektrikumot használ az Intel.
A vállalat 2005 végén kezdi meg a 65 nanométeres technológia bevezetését. A chipgyártó reményei szerint e gyártástechnológiai átállás nem lesz olyan nehézkes, mint amilyen a 130–90 nanométeres konverzió volt.
